これは一重に、PPD が光電子増倍管などの従来 の光検出器の抱える課題を克服し、これまで踏み込めなかった分野での貢献が期待されるためである。そ の特徴は半導体デバイスである事から光電子増倍管に比べ非常に安価に製造が可能
り、電子レンジに十分実使用できると、多くの企業が 試算している。半導体発振器とマグネトロン発振器の 機能および性能の比較を表1にまとめた。 既存の電子レンジに内蔵されているマグネトロン発 振器から発生するマイクロ波周波数は、24.5± 物半導体の特長こそが、Siでは得ることのできない数多く の種類の半導体デバイスを生み出し得る大きな要因であ る。図1にこれら代表的な化合物半導体と3元混晶半導体 のEgと格子定数を示す。 混晶半導体とは異なり、厚さ数原子層の2種類の化合物 これまでに、半導体材料の表面に微小なリッジ構造を作製することで光の取り出し効率が向上することを見出していたが、今回、さらにリッジ構造の表面上に半導体より屈折率の小さいSiO 2 などの薄膜を堆積させるという簡単な方法によって、半導体の発光 半導体の材料学的特性、デバイスへの応用の解説や実験例の紹介。 いよいよバイポーラトランジスタの章に入った。バイポーラは半導体デバイスの要とい ってよいだろう。最近の半導体業界ではcmos の普及で、mosfet を中心にバイポーラ の解説を軽くしている専門書も多い。しかし、ハイエンドな高速情報処理lsi は相変わら
半導体光非線形機能デバイス、特に光双安定素子の発展について、著者の研究を中心に紹介する。面発光半導体レーザ（vcsel）では、直交する2つの発振偏光の間で双安定性が得られる。 【光デバイス】 ・ 半導体レーザー（1970 年） ・ 光ファイバー通信（電子限界打破，空間多重） ・ 光記録（cd, dvd） ・ 光情報機器，画像機器 1.4 レーザーの出現と光産業 電子デバイスと光デバイスの共存 ・ 成長する光産業（8 兆円／年） ・ ユビキタス 光デバイスの設計・製作において，バンドギャップや屈折率などの物理的性質の異 なる半導体間の接合を用いることにより優れたデバイス特性を実現できることが多 い．この異種半導体間の接合を，同種半導体間の接合であるホモ接合に対して，ヘテ 図1直接遷移半導体の光吸収過程 半導体で価電子が光を吸収するときに、 エネルギーと運度量の保存がなされなけれ ばならい。価電子の光を吸収する前の波数 をki とし、光吸収をした後の電子の波数を kfとする。光の波数をkpとしよう。すると、 比誘電率が低い分子集合体の有機半導体中では電荷・励起子などが局在化 → 有機半導体デバイスでは重要なプロセスが界面最近傍（数nm）で起こる！ 正極 負極 アクセプター層 ドナー層 光 D/A界面 分離 再結合 陰極 陽極 電子輸送層 正孔輸送層 光 発光層 再 半導体材料工学／半導体欠陥物理／光・電子デバイス信頼性評価／ 電子顕微鏡利用技術／ナノ分析評価技術 vcse（l面発光レーザ）は安価で量産性に富むため、近年、爆発的に需要が拡 大している。 電子デバイス産業新聞は、半導体、一般電子部品、製造装置、電子材料業界を報道する専門紙。電子ディスプレー、各種電池、プリント回路などの市場動向に加え、自動車や医療、ロボット、fa、航空・宇宙といった電子デバイスを多用する成長産業のニュースもお届け。
東芝の半導体パッケージ開発の歩みと今後の取組み 3 特 集 （Small Outline Package）やQFP（Quad Flat Package）など，プリント回路板の 両面に実装可能な表面実装型のパッ ケージを多く開発した。1980年代後半には更なる小型 オージェ電子分光法（AES）を紹介する。最後に，種々 の解析に必要な試料の前処理技術について述べる。1．評価技術 1.1 製造プロセス段階での評価 ここでは，半導体デバイスの製造プロセス段階におけ る評価技術について述べる。 半導体光検出器PPDの基本特性の解明と，実践的開発に向けた研究 生出秀行 東京大学大学院理学系研究科物理学専攻 東京大学素粒子物理国際研究センター 山下了研究室 oide@icepp.s.u-tokyo.ac.jp 平 … 半導体デバイスと平坦化加 技術の動向と今後の展開 746 精密 学会誌 Vol.73, No.7, 2007 0.5～0.35μm（3層配線） 0.25～0.2μm （4～6層配線） 180～45nm （7～10層配線） Wプラグ SOG Al CMP Al合金Al合金 SGI シリサイドS 特集論文 25（769） 要 旨 ＊高周波光素子事業統括部（工博） 通信用光半導体デバイス技術 三井康郎＊ ネットバブルの後遺症は光半導体デバイス市場をも巻き 込んで未だ癒（い）えることはないが，その一方で，アクセ ス系ではFTTH
半導体は、一定の電気的性質を備えた物質です。物質には電気を通す「導体」と、電気を通さない「絶縁体」とがあり、半導体はその中間の性質を備えた物質です。ここでは、抵抗率などで示される半導体の電気的性質や、組成と主な用途について説明します。 インタフェースデバイスといってもいいかも知れません。 なかでもLEDは各種装置の状態表示や結果の表示などには欠かせない光半導体です。そんなことから電子工作の分野では人気の高い電子部品の一つです。 電気を光に変える光半導体 2010/03/18 当グループでは、MBEやMOCVDなどの高度な結晶成長技術、マイクロ・ナノレベルでの微細加工技術を駆使して創成された半導体微細構造に特有な物理現象を利用し、高度情報化社会・低環境負荷社会の実現に貢献しうる化合物半導体・有機半導体先端光デバイス（発光・受光デバイス、光変調 6/36 MSRH06-1 半体デバイスの品質保証 2. 開発段階での品質保証 目標とする品質・信頼性を確保するため製品開発を次の手順により実施している。 市場調査に基づく新製品の需要予測から、新製品の要求品質レベル・機能・信頼性、製造上の問題、 光・電子物性デバイス 略歴 1971年 名古屋大学大学院工学研究科修士課程修了 1971年 日本電信電話公社（現NTT）入社 1978年 MIT客員研究員 1994年～立命館大学理工学部電子光情報工学科 教授 略歴 1997年大阪府立大学大学院工学研究科博士課程修了 1 1.1 講義概要 光電子デバイスはセンサとシステムの間にあ って情報の検出・処理・制御の機能を有する． 本科目では，光と電子の相互作用を利用した各 種の発光デバイス，光検出器，撮像デバイスな どの構造や動作原理および特性について学習す
光・電子物性デバイス 略歴 1971年 名古屋大学大学院工学研究科修士課程修了 1971年 日本電信電話公社（現NTT）入社 1978年 MIT客員研究員 1994年～立命館大学理工学部電子光情報工学科 教授 略歴 1997年大阪府立大学大学院工学研究科博士課程修了
